快科技3月25日消息，据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV (深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。

2021年，荷兰光刻机巨头ASML的高管在一次采访中撂下狠话：“如果美方彻底禁止向我国出口光刻机，我国最多三年就会自己造出来。”这句话看似“捧杀”，实则带着几分傲慢——毕竟，光刻机被称为“人类工业皇冠上的明珠”，全球能造的国家一只手数得过来。但四年后的今天，我国用实际行动回应了这句预言：从自研DUV光刻机落地，到中科院突破固态深紫外激光技术，我们确实“造出来了”，而且还在继续撕开技术封锁的口子。

这一技术的突破，不仅有望帮助中国绕开欧美的技术封锁，减少对稀有气体的依赖，还能在一定程度上降低能耗。然而，值得注意的是，这一技术目前仍处于实验室阶段，距离真正应用于光刻机还有一定的距离。该技术生产出的光源在输出功率和频率上，也还无法与现有技术相媲美， ...

中国科学院近期成功研发了一项突破性的固态DUV（深紫外）激光技术，这种技术能够发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致。这一技术的成功，为推动半导体工艺的发展至3nm节点奠定了基础。

近日，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent ...

ASML凭借EUV光刻技术主导半导体制造，其技术壁垒和供应链整合能力难以超越。佳能NIL技术通过物理压印降低成本，但面临缺陷控制和对准精度挑战；中国LDP技术试图绕过掩膜版限制，但光源功率和效率不足。两者在特定领域可能突破，但ASML持续迭代技术巩固 ...

3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent ...

据国际光电工程学会（ SPIE ）报道，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），该波长目前被用于半导体曝光技术。

半导体芯片是人类能制造的最小、最精密的物体之一。如何让它变得更小、更复杂，是一场与物理极限的较量，而光学光刻技术——用短波长光在硅片上蚀刻纳米级图案——无疑是这场战斗的前沿阵地。荷兰公司ASML打造的光刻工具几乎像科幻电影里的装置：在真空环境中，用激光轰击熔融的锡滴，产生波长仅13.5纳米的极紫外光 ...

为了探索新的应用，中科院团队还在1553 nm激光器的光路中引入了螺旋相位板 （SPP），将其高斯模式转换为拓扑电荷为1的带有轨道角动量（OAM）的涡旋光束。然后将该涡旋光束用作频率转换的泵浦源，成功地将OAM转移到221 nm和193 ...

中国科学院的科研团队近日在《国际光电工程学会》期刊公布了全固态深紫外(DUV)激光光源研究成果。这项技术通过创新性的固态激光方案，成功输出193nm波长的相干光，理论上可支撑半导体制造工艺延伸至3nm节点，为我国光刻技术自主化开辟了新路径。

提及ASML的EUV光刻机，首先从技术层面看，其技术的核心在于利用13.5纳米波长的极紫外光，通过激光驱动等离子体（Laser-Produced Plasma, LPP）生成光源 ...